介紹了年產300萬硅拋光片、60萬硅外延片，主要生產4~12英寸的硅拋光片以及6~8英寸的硅外延片的微電子工廠的氣體需求。主要有三氯氫硅、氯化氫、磷烷、乙硼烷、氫氣和氮氣。特種氣體存放于進口的特氣鋼瓶柜，氯化氫HCl、三氯氫硅SiHCl3鋼瓶柜各2個，磷烷PH3、乙硼烷B2H6各一個。 外延生長：外延爐經氯化氫和氮氣吹掃清洗后，通入三氯氫硅SiHCl3和氫氣H2，為了滿足硅片的電學性能，還要摻入50ppm的特種氣體磷烷PH3或乙硼烷B2H6，紅外加熱至1100~1200℃下，通過化學氣相沉積法在硅襯底材料上生長一層與襯底材料具有相同晶格排列的單晶硅，形成單晶硅外延片。有99% 的三氯氫硅SiHCl3、磷烷PH3、乙硼烷B2H6參加反應。此工序產生的廢氣主要是氯化氫，還有一些沒有反應的磷烷PH3、乙硼烷B2H6和三氯氫硅SiHCl3；外延爐的石墨基座和石英夾套需要定期更換，產生廢石英和廢石墨。